記者葉國吏／綜合報導

台積電表示，繼2024年推出革命性系統級晶圓（TSMC-SoW）技術後，將以CoWoS技術為基礎推出SoW-X，預計在2027年量產，運算能力可達現有方案的40倍。這項技術將支援高達9.5倍光罩尺寸的封裝，並整合12個或更多的高頻寬記憶體（HBM）。

根據Tom’s Hardware的報導，台積電計畫於明年推出下一代CoWoS-L技術，將矽中介層面積擴大至4719平方毫米，並封裝12個HBM3/HBM3E記憶體。SoW-X則預計達到6864平方毫米，整合4個SoIC、12個HBM4記憶體等，這需要更複雜的冷卻技術來應對高電力消耗。

為提升系統效率，台積電將在CoWoS-L技術中整合16奈米製程的電源管理IC（PMIC），透過矽穿孔（TSV）技術和重分布層（RDL）供電，顯著降低電源路徑阻抗，並支援動態電壓調節（DVS），以確保系統穩定運作。隨著技術進展，中介層尺寸的擴大也帶來系統設計上的新挑戰，未來可能需要新的標準來適應更大規模的基板設計。

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